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ESD3V3U4ULC
Characteristics
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
1MHz
1GHz
0.2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V R [V]
Figure 5
Line capacitance: C L = f ( V R ), f = 1MHz, from I/O to GND
50
40
30
20
10
ESD3V3U4ULC
R DYN
R DYN =0.19 Ω
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
0
V TLP [V]
Figure 6
Clamping voltage V TLP = f ( I TLP ), from I/O to GND Note: [2]
Final Data Sheet
8
Rev. 1.2, 2012-07-03
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